Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Персоналии
5
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу
1
В работе исследовано влияние условий формирования ионно-плазменных покрытий квазибинарных систем TiB₂-WB₂ и TiC-WC с разным содержанием металлических составляющих на их механические свойства: твердость и адгезионную прочность при отрыве в процессе скретч-тестирования
1
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією
1
-
181
-
182
-
183
-
184
-
185
-
186
-
187
-
188
-
189
-
190
-
191
-
192
-
193
-
194
-
195
-
196
-
197
-
198von Гриценко, Б.П., Погребняк, Н.А., Кылышканов, М.К., Погребняк, А.Д., Дуванов, С.М., Понарядов, В.В.Volltext
Veröffentlicht 2005
Artikel -
199
-
200