Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Персоналии
5
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу
1
В работе исследовано влияние условий формирования ионно-плазменных покрытий квазибинарных систем TiB₂-WB₂ и TiC-WC с разным содержанием металлических составляющих на их механические свойства: твердость и адгезионную прочность при отрыве в процессе скретч-тестирования
1
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією
1
-
381von Павленко, В.И., Береснев, В.М., Рахимбаев, Ш.М., Кирияк, И.И., Колесников, Д.А.Volltext
Veröffentlicht 2011
Artikel -
382
-
383
-
384
-
385
-
386
-
387
-
388
-
389
-
390von Корж, А.Ф., Лонин, Ю.Ф., Пилипец, Ю.О., Хованский, Н.А., Шеремет, В.И., Широков, Б.М.Volltext
Veröffentlicht 2007
Artikel -
391
-
392
-
393
-
394
-
395
-
396
-
397
-
398
-
399
-
400