Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Ähnliche Schlagwörter innerhalb Ihrer Suche.
Персоналии
5
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу
1
В работе исследовано влияние условий формирования ионно-плазменных покрытий квазибинарных систем TiB₂-WB₂ и TiC-WC с разным содержанием металлических составляющих на их механические свойства: твердость и адгезионную прочность при отрыве в процессе скретч-тестирования
1
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією
1
-
481
-
482
-
483
-
484
-
485
-
486
-
487
-
488
-
489
-
490von Андреев, А.А., Соболь, О.В., Горбань, В.Ф., Васильев, А.Л., Столбовой, В.А., Сердюк, И.В.Volltext
Veröffentlicht 2010
Artikel -
491
-
492
-
493
-
494
-
495
-
496von Сегін, М.Я., Будзуляк, І.М., Ільницький, Р.В., Остафійчук, Б.К., Соловко, Я.Т., Яблонь, Л.С., Яремій, І.П.Volltext
Veröffentlicht 2010
Artikel -
497
-
498
-
499
-
500