Suggested Topics within your search.
Suggested Topics within your search.
Персоналии
5
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу
1
В работе исследовано влияние условий формирования ионно-плазменных покрытий квазибинарных систем TiB₂-WB₂ и TiC-WC с разным содержанием металлических составляющих на их механические свойства: твердость и адгезионную прочность при отрыве в процессе скретч-тестирования
1
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією
1
-
581
-
582
-
583
-
584
-
585
-
586
-
587by Grudnitskiy, V.V., Beresnev, V.M., Drobyshevskaya, А.А., Turbin, P.V., Toryanik, I.N., Grankin, S.S., Kolesnikov, D.А., Nemchenko, U.S.Get full text
Published 2012
Article -
588
-
589
-
590
-
591
-
592