Результати пошуку - "слой" :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку. Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.

сшито-полиэтиленовая изоляция 4
epitaxial layer 3
liquid-phase epitaxy 3
rare-earth element 3
раствор-расплав 3
редкоземельный элемент 3
слой объемного заряда 3
эпитаксиальный слой 3
Furrier images 2
XLPE insulated power cable 2
a contact potential difference 2
a superficial skin 2
an air gap 2
boundary conditions 2
computer modeling 2
conductive layer 2
conductor screen 2
contact 2
cross-linked polyethylene insulation 2
diffusion 2
electric field 2
electromagnetic fields 2
electromagnetic shield 2
epitaxial layers 2
epitaxy 2
extra-high voltage power cable 2
finite volume method 2
half-value layer 2
layer 2
low-frequency magnetic field 2

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев за авторством Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A.

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами за авторством Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ за авторством Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов за авторством Lougin, A. N., Ozemsha, M. M.

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК за авторством Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия за авторством Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.

Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления... за авторством Ashcheulov, A. A., Dunaenko, A. Kh., Pundik, V. I., Romanyuk, I. S., Fotiy, V. D.

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК за авторством Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Установка толстослойного анодирования алюминия за авторством Sokol, V. A., Ignashev, E. P.

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам за авторством Kudryk, Ya. Ya.

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем за авторством Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 за авторством Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Kulchitskii, N. A.

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат за авторством Petrosjan, G. S., Polubasov, O. B.

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок за авторством Dushkin, S. A., Ivanskiy, V. B., Kurov, A. M., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Расчет характеристик рентгеновского излучения за авторством Dushkin, S. A., Kurov, А. М., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Результати пошуку - "слой"

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев за авторством Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A.

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами за авторством Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.

Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ за авторством Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов за авторством Lougin, A. N., Ozemsha, M. M.

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК за авторством Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия за авторством Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК за авторством Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Установка толстослойного анодирования алюминия за авторством Sokol, V. A., Ignashev, E. P.

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам за авторством Kudryk, Ya. Ya.

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем за авторством Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 за авторством Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Kulchitskii, N. A.

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат за авторством Petrosjan, G. S., Polubasov, O. B.

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок за авторством Dushkin, S. A., Ivanskiy, V. B., Kurov, A. M., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Расчет характеристик рентгеновского излучения за авторством Dushkin, S. A., Kurov, А. М., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Інструменти для пошуку:

Уточнити результати

Репозитарії

Формат

Автор

Мова

Рік публікації

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ за авторством Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.