Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев by Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A.

Get full text

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами by Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.

Get full text

Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ by Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Get full text

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов by Lougin, A. N., Ozemsha, M. M.

Get full text

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК by Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Get full text

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия by Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.

Get full text

Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления... by Ashcheulov, A. A., Dunaenko, A. Kh., Pundik, V. I., Romanyuk, I. S., Fotiy, V. D.

Get full text

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК by Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Get full text

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми... by Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Get full text

Установка толстослойного анодирования алюминия by Sokol, V. A., Ignashev, E. P.

Get full text

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам by Kudryk, Ya. Ya.

Get full text

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем by Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.

Get full text

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... by Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Get full text

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 by Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Kulchitskii, N. A.

Get full text

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат by Petrosjan, G. S., Polubasov, O. B.

Get full text

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... by Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Get full text

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... by Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

Get full text

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок by Dushkin, S. A., Ivanskiy, V. B., Kurov, A. M., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Get full text

Расчет характеристик рентгеновского излучения by Dushkin, S. A., Kurov, А. М., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Get full text

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода by Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Get full text