Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев von Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A.

Volltext

Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ von Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Volltext

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми... von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Volltext

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК von Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Volltext

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам von Kudryk, Ya. Ya.

Volltext

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем von Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.

Volltext

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат von Petrosjan, G. S., Polubasov, O. B.

Volltext

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Volltext

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... von Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

Volltext

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок von Dushkin, S. A., Ivanskiy, V. B., Kurov, A. M., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Volltext

Расчет характеристик рентгеновского излучения von Dushkin, S. A., Kurov, А. М., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Volltext

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ... von Беспрозванных, А.В., Бойко, А.М.

Volltext

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна von Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.

Volltext

РАСЧЕТНЫЙ ВЫБОР ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ЭКРАНОВ СЛОЖНОЙ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ КОНФИГУРАЦИИ von Резинкина, М.М., Щерба, А.А., Гринченко, В.С., Резинкина, К.О.

Volltext

ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МНОГОМАСШТАБНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ НА 330 кВ В АВАРИЙНОМ РЕЖИМЕ... von Кучерявая , И.Н.

Volltext

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным... von Gnilenko, A. B., Lavrich, Ju. N., Plaksin, S. V.

Volltext

ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ ПО ЖИЛЕ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ... von Кучерявая, И.Н.

Volltext

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов von Perevertaylo, V. L.

Volltext