Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев за авторством Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A.

Отримати повний текст

Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ за авторством Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Отримати повний текст

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми... за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Отримати повний текст

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК за авторством Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Отримати повний текст

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам за авторством Kudryk, Ya. Ya.

Отримати повний текст

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем за авторством Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.

Отримати повний текст

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат за авторством Petrosjan, G. S., Polubasov, O. B.

Отримати повний текст

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... за авторством Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Отримати повний текст

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... за авторством Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

Отримати повний текст

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок за авторством Dushkin, S. A., Ivanskiy, V. B., Kurov, A. M., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Отримати повний текст

Расчет характеристик рентгеновского излучения за авторством Dushkin, S. A., Kurov, А. М., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Отримати повний текст

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ... за авторством Беспрозванных, А.В., Бойко, А.М.

Отримати повний текст

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна за авторством Vakiv, M. M., Krukovskiy, S. I., Zayachuk, D. M., Mykhashchuk, Iu. S., Krukovskiy, R. S.

Отримати повний текст

РАСЧЕТНЫЙ ВЫБОР ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ЭКРАНОВ СЛОЖНОЙ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ КОНФИГУРАЦИИ за авторством Резинкина, М.М., Щерба, А.А., Гринченко, В.С., Резинкина, К.О.

Отримати повний текст

ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МНОГОМАСШТАБНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ НА 330 кВ В АВАРИЙНОМ РЕЖИМЕ... за авторством Кучерявая , И.Н.

Отримати повний текст

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным... за авторством Gnilenko, A. B., Lavrich, Ju. N., Plaksin, S. V.

Отримати повний текст

ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ ПО ЖИЛЕ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ... за авторством Кучерявая, И.Н.

Отримати повний текст

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов за авторством Perevertaylo, V. L.

Отримати повний текст