Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев von Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A.

Volltext

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами von Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.

Volltext

Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ von Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

Volltext

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов von Lougin, A. N., Ozemsha, M. M.

Volltext

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК von Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Volltext

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия von Borisenko, A. G., Polozov, B. P., Fedorovich, O. A., Boltovets, M. S., Ivanov, V. N., Sveschnikov, Yu. N.

Volltext

Получение электрокоммутационных слоев керамических теплопереходов методом детонационного напыления... von Ashcheulov, A. A., Dunaenko, A. Kh., Pundik, V. I., Romanyuk, I. S., Fotiy, V. D.

Volltext

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК von Бондина, Н.Н., Живанков , К.И., Михайлов , В.М.

Volltext

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми... von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Volltext

Установка толстослойного анодирования алюминия von Sokol, V. A., Ignashev, E. P.

Volltext

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам von Kudryk, Ya. Ya.

Volltext

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем von Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.

Volltext

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.

Volltext

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 von Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Kulchitskii, N. A.

Volltext

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат von Petrosjan, G. S., Polubasov, O. B.

Volltext

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры... von Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Giyasova, F. A., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.

Volltext

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии... von Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.

Volltext

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок von Dushkin, S. A., Ivanskiy, V. B., Kurov, A. M., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Volltext

Расчет характеристик рентгеновского излучения von Dushkin, S. A., Kurov, А. М., Odinets, V. A., Orobinskiy, A. N.

Volltext

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Yuldashev, Sh.Sh., Boltaeva, Sh. Sh.

Volltext