Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ... за авторством Izhnin, I. I., Vakiv, N. M., Izhnin, А. I., Syvorotka, I. M., Ubizskii, S. B., Syvorotka, I. M.

Отримати повний текст

КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации за авторством Verbitsky, V. G., Zolotarevsky, V. I., Samotovka, L. I., Balay, B. A., Voshchinkin, A. F., Koba, V. L., Tovmach, E. S., Yavetsky, A. A.

Отримати повний текст

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур... за авторством Druzhinin, A. A., Osrovskkii, I. P., Khoverko, Yu. M., Koretskyy, R. N.

Отримати повний текст

Твердотельный импульсный микроволновой мост для спектрометров электронного спинового эха 8-мм диапазона длин волн... за авторством Kalabukhova, E. N., Oleinik, V. V., Savchenko, D. V., Sitnikov, A. A., Tsvir, A. V., Ishchenko, M. G.

Отримати повний текст

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм за авторством Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S.

Отримати повний текст

Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O3 за авторством Kuzenko, D. V., Bazhin, A. I., Stupak, V. A., Kisel, M. G., Dorofeeva, V. V., Starshinov, I. M., Pokintelitsa, A. E.

Отримати повний текст

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния... за авторством Rakhmatov, A. Z., Skorniakov, S. L., Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhayev, O. A., Buzrukov, U. M.

Отримати повний текст

Мат­рич­ные крем­ни­е­вые ми­кро­ка­то­ды для ав­то­эмис­си­он­ных дис­пле­ев за авторством Druzhynin, А. A., Golota, V. I., Kogut, I. T., Khoverko, Yu. M.

Отримати повний текст

Устройство сбора биометрической ин­фор­ма­ции с ис­поль­зо­ва­ни­ем тен­зо­тран­зис­тор­ных дат­чи­ков... за авторством Zhiltsov, V. V., Kostenko, V. L.

Отримати повний текст

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС за авторством Ivanova, P. E., Radchenko, V. F., Khanamirov, A. E., Khryunov, A. V.

Отримати повний текст

Система передачи цифровой информации на основе многоуровневых сигналов с компактным спектром за авторством Sukachоv, E. A., Shkulipa, P. A.

Отримати повний текст

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии за авторством Kovalenko, L. F., Sevastjanov, V. V., Khomchenko, V. S., Tzyrkunov, Yu. A.

Отримати повний текст

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей за авторством Druzhinin, A. A., Maryamova, I. I., Kutrakov, A. P., Pavlovskyy, I. V.

Отримати повний текст

МОДЕЛЮВАННЯ НЕЛІНІЙНОГО ПОВЕРХНЕВОГО ЕФЕКТУ МЕТОДОМ ГАРМОНІЧНОГО БАЛАНСУ СУМІСНО З МЕТОДОМ СКІНЧЕНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ЗА УМОВ ЖИВЛЕННЯ СИНУСОЇДАЛЬНОЮ НАПРУГОЮ ТА ВИКОРИСТАННЯМ ЕФЕКТИВНИХ... за авторством Петухов, І.С.

Отримати повний текст

РЕГУЛЮВАЛЬНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ АКТИВНОГО ЧОТИРИКВАДРАНТНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА В РЕЖИМАХ ВИПРЯМЛЕННЯ І РЕКУПЕРАЦІЇ... за авторством Щербак , Я.В., Плахтій , О.А., Нерубацький , В.П.

Отримати повний текст

Узагальнені еквідистантні поліноми Чебишова і вузлові інваріанти Александера за авторством Pavlyuk, A. M.

Отримати повний текст

Якісний аналіз кластеризації в спиртово-водних розчинах за авторством Chechko, V. E., Gotsulskyi, V. Ya.

Отримати повний текст

Структурні і діелектричні властивості кераміки з титанату свинцю із заміщенням Ba2+ за авторством Bardapurkar, P. P., Shewale, S. S., Arote, S. A., Barde, N. P.

Отримати повний текст

Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах... за авторством Lytovchenko, V. G., Kurchak, A. I., Strikha, M. V.

Отримати повний текст

Квантово-механічний розрахунок реакції синтезу для деяких гало систем за авторством Majeed, F. A., Mahdi, F. A.

Отримати повний текст