Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) von Gentsar, P. O., Vlasenko, O. I., Levytskyi, S. M.

Volltext

Самоасоційовані атомні групи в розплавах Ga–Sn von Bilyk, R., Mudry, S.

Volltext

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів von Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.

Volltext

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах von Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.

Volltext

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу von Zinovchuk, A. V., Sevost’yanov, E. A.

Volltext

Випромінювання у ближньому та середньому інфрачервоному діапазоні стекол Ga2S3–GeS2–Sb2S3: Er, Nd von Halyan, V.V., Kevshyn, A.H., Ivashchenko, І.А., Yatsyniuk, T.K., Tataryn, B.A., Skoryk, M.A., Lebed, O.О., Yukhymchuk, V.O.

Volltext