Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов за авторством Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.

Отримати повний текст

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання... за авторством Zaychenko, Yuriy, Starovoit, Tetiana

Отримати повний текст

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА за авторством Осинський, В. І., Демінський, П. В., Ляхова, Н. М., Моторний, А. П., Масол, І. В., Суховий, Н. О.

Отримати повний текст

ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV... за авторством Людвіченко, Олексій, Лєщук, Олександр, Гордєєв, Сергій, Анісін, Олександр

Отримати повний текст

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100) за авторством Gentsar, P. O., Vlasenko, O. I., Levytskyi, S. M.

Отримати повний текст

Самоасоційовані атомні групи в розплавах Ga–Sn за авторством Bilyk, R., Mudry, S.

Отримати повний текст

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів за авторством Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.

Отримати повний текст

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах за авторством Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.

Отримати повний текст

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу за авторством Zinovchuk, A. V., Sevost’yanov, E. A.

Отримати повний текст

Випромінювання у ближньому та середньому інфрачервоному діапазоні стекол Ga2S3–GeS2–Sb2S3: Er, Nd за авторством Halyan, V.V., Kevshyn, A.H., Ivashchenko, І.А., Yatsyniuk, T.K., Tataryn, B.A., Skoryk, M.A., Lebed, O.О., Yukhymchuk, V.O.

Отримати повний текст