Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Volltext

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs von Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Volltext

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... von Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.

Volltext

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа von Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Volltext

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников von Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.

Volltext

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей... von Kurak, V. V., Tsybulenko, V. V., Agbomassou, V. L.

Volltext

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... von Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Volltext

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... von Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Volltext

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом von Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Volltext

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ von Туркевич, В. З., Румянцева, Ю. Ю., Туркевич, Д. B., Чернієнко, О. I., Савицький, О. В., Гордєєв, С. O., Кущ, О. B., Садова, Ю. I.

Volltext

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки von Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.

Volltext

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия von Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Volltext

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях von Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.

Volltext

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники von Azhazha, V. M., Kovtun, G. P., Nekljudov, I. M.

Volltext

Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми... von Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.

Volltext

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Volltext

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия von Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.

Volltext

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування... von Bahanov, Yevgen, Shutov, Stanislav, Tsybulenko, Vadym, Levytskyi, Anatolii

Volltext

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев von Andronova, О. V., Kurak, V. V.

Volltext

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн von Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Volltext