Search Results - "GaAs" :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Suggested Topics within your search. Suggested Topics within your search.

GaAs 7
- 2
AlGaN/GaN heterostructures 2
Auger recombination 2
GaN transistors 2
GaP 2
GaSb 2
GaSe 2
InGaN quantum wells 2
InGaN квантовi ями 2
atomic disorder 2
computer simulation 2
liquid phase epitaxy 2
атомна невпорядкованiсть 2
жидкофазная эпитаксия 2
комп’ютерне моделювання 2
оже-рекомбiнацiя 2
621.314 1
ACO 1
AIIIBV 1
ANFIS 1
AlGaAs–GaAs heterostructures 1
CdS 1
Class-D amplifier 1
GA 1
Ga2S3–GeS2–Sb2S3 system 1
GaN 1
GaN транзистори 1
GaN-транзистори 1
GaSb substrate 1

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью by Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs by Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа by Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников by Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей... by Kurak, V. V., Tsybulenko, V. V., Agbomassou, V. L.

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... by Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... by Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом by Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки by Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия by Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях by Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники by Azhazha, V. M., Kovtun, G. P., Nekljudov, I. M.

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si by Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия by Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування... by Bahanov, Yevgen, Shutov, Stanislav, Tsybulenko, Vadym, Levytskyi, Anatolii

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев by Andronova, О. V., Kurak, V. V.

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн by Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Search Results - "GaAs"

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью by Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, O. A.

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs by Vakiv, N. M., Zaverbniy, I. R., Zayachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Mrykhin, I. O.

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа by Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников by Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей... by Kurak, V. V., Tsybulenko, V. V., Agbomassou, V. L.

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... by Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... by Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом by Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки by Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия by Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях by Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники by Azhazha, V. M., Kovtun, G. P., Nekljudov, I. M.

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si by Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия by Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування... by Bahanov, Yevgen, Shutov, Stanislav, Tsybulenko, Vadym, Levytskyi, Anatolii

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев by Andronova, О. V., Kurak, V. V.

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн by Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.

Search Tools:

Refine Results

Institution

Format

Author

Language

Year of Publication