Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання... за авторством Mollaamin, F.

Отримати повний текст

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... за авторством Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.

Отримати повний текст

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN... за авторством Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha

Отримати повний текст

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ за авторством Туркевич, В. З., Румянцева, Ю. Ю., Туркевич, Д. B., Чернієнко, О. I., Савицький, О. В., Гордєєв, С. O., Кущ, О. B., Садова, Ю. I.

Отримати повний текст

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS за авторством Onikienko, Y. O., Pilinsky, V. V., Popovych, P. V., Lazebnyi, V. S., Smolenska, O. I., Baran, V. S.

Отримати повний текст

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time» за авторством Naida, S. A., Onykienko, Y. O., Drozdenko, O. I., Smolenska, O. I., Baran, V. S., Iakunina, N. O.

Отримати повний текст

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов за авторством Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.

Отримати повний текст

ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV... за авторством Людвіченко, Олексій, Лєщук, Олександр, Гордєєв, Сергій, Анісін, Олександр

Отримати повний текст

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів за авторством Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.

Отримати повний текст

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах за авторством Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.

Отримати повний текст

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу за авторством Zinovchuk, A. V., Sevost’yanov, E. A.

Отримати повний текст