Результати пошуку - "InSe" :: Harvester open publications of NAS Ukraine

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку. Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.

ZnSe 4
InSe 3
exciton 3
heterojunction 3
екситон 3
X-ray induced luminescence 2
direct transitions 2
indirect transitions 2
mixed crystals 2
p-n-InSe 2
photoelectric parameters 2
quantum dot 2
scintillator 2
гетеропереход 2
квантова точка 2
непрямі переходи 2
прямі переходи 2
рентгенолюмінесценція 2
сцинтилятор 2
фотоэлектрические параметры 2
(100) In4Se3 cleavage surface 1
- 1
CdSe photoanode 1
CdSe фотоанод 1
CdTeSe 1
Cu2ZnSnSe4 crystals 1
Dipole-центр 1
FeIn₂Se₄ 1
GaSe 1
InS-film 1

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) за авторством Katerinchuk, V. N., Kovalyuk, M. Z.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы за авторством Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ за авторством Balitsky, A. A.

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена за авторством Rusetskii, I. A., Slobodyanyuk, I. A., Danilov, M. O., Kolbasov, G. Ya.

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М.

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe за авторством Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 за авторством Galiy, P. V.

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань... за авторством Kondrik , Оleksandr

Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок... за авторством Bondar, N.V., Piryatinski, Yu.P., Tverdochlibova, O.V.

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A.

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x за авторством Trubaeva, O. G., Chaika, M. A., Galkin, S. M., Lalayants, A. I., Nepokupna, T. A.

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки за авторством Trubaieva, O. G., Lalayants, A. I., Chaika, M. A.

Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку за авторством Degoda, V.Ya., Brodyn, M.S., Alizadeh, M., Podust, G.P., Pavlova, N.Yu., Kozhushko, B.V.

Результати пошуку - "InSe"

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) за авторством Katerinchuk, V. N., Kovalyuk, M. Z.

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы за авторством Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ за авторством Balitsky, A. A.

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена за авторством Rusetskii, I. A., Slobodyanyuk, I. A., Danilov, M. O., Kolbasov, G. Ya.

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М.

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe за авторством Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 за авторством Galiy, P. V.

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань... за авторством Kondrik , Оleksandr

Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок... за авторством Bondar, N.V., Piryatinski, Yu.P., Tverdochlibova, O.V.

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A.

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x за авторством Trubaeva, O. G., Chaika, M. A., Galkin, S. M., Lalayants, A. I., Nepokupna, T. A.

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки за авторством Trubaieva, O. G., Lalayants, A. I., Chaika, M. A.

Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку за авторством Degoda, V.Ya., Brodyn, M.S., Alizadeh, M., Podust, G.P., Pavlova, N.Yu., Kozhushko, B.V.

Інструменти для пошуку:

Уточнити результати

Репозитарії

Формат

Автор

Мова

Рік публікації