Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS Ukraine — 50 years old за авторством V. F. Machulin

Отримати повний текст

Nanointegration and self-assembling in nanoelectronics (review) за авторством G. S. Svechnikov, A. N. Morozovskaja

Отримати повний текст

Optical nonlinearities in chalcogenide vitreous semiconductors (review) за авторством I. D. Tolmachev, A. V. Stronskij

Отримати повний текст

Quick test to define the least color difference of experimental luminescent solid and white light за авторством D. N. Khmil, A. M. Kamuz, P. F. Oleksenko, N. G. Aleksenko, V. G. Kamuz

Отримати повний текст

Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta за авторством N. M. Litovchenko, Ju. N. Naseka, A. V. Prokhorovich, L. V. Rashkovetskij, O. N. Strilchuk, F. F. Sizov, O. O. Vojtsikhovskaja, B. A. Danilchenko

Отримати повний текст

Surface polaritons in 6H-SiC single crystals placed in a strong uniform magnetic field за авторством Ye. F. Venher, A. I. Yevtushenko, Yu. Melnychuk, O. V. Melnychuk

Отримати повний текст

Radiation and thermal stability of thin layers, he-terosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor com-pounds за авторством P. I. Baranskyi, H. P. Haidar

Отримати повний текст

Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon за авторством N. A. Vlasenko, N. V. Sopinskij, E. G. Gule, L. I. Veligura, Ja. Bratus, R. S. Melnik, Z. L. Denisova, M. A. Mukhlo

Отримати повний текст

Photoluminescence of porous nc-Si—SiOx nanostructures treated by HF vapors за авторством V. A. Danko, I. Z. Indutnyi, K. V. Mykhailovska, Ye. Shepeliavyi

Отримати повний текст

Investigation of stability of the pH-sensitive field effect transistors за авторством A. S. Pavljuchenko, A. L. Kukla, Ju. V. Goltvjanskij, V. M. Arkhipova, S. V. Dzjadevich, A. P. Soldatkin

Отримати повний текст

Lateral photo-emf in Schottky contact за авторством E. F. Venger, I. Gotovy, L. V. Shekhovtsov

Отримати повний текст

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions за авторством A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, I. O. Mazarchuk, M. M. Krolevets, V. I. Lukianenko, I. H. Lutsyshyn

Отримати повний текст

Doping of a thermoelectric material by electroactive impurities за авторством I. I. Pavlovych, O. I. Kopyl, V. M. Tomashyk

Отримати повний текст

Optoelectronic colorimetric ammonia sensor за авторством O. A. Vakhula, Yu. Khoruzhenko, O. L. Kukla, I. O. Samoilova, O. V. Shulzhenko, P. A. Manoryk

Отримати повний текст

Surface plasmon resonance sensor for determination of the barbiturate level in a liquid sample за авторством E. V. Kostjukevich, S. A. Kostjukevich

Отримати повний текст

Surface plasmon based gas sensor for alcohols discrimination utilizing sensitive calixarene films за авторством R. V. Khristosenko, E. V. Kostjukevich, S. A. Zyno, A. S. Pavljuchenko, A. V. Samojlov, Ju. V. Ushenin, S. A. Kostjukevich, V. I. Kalchenko

Отримати повний текст

Semiconductor photovoltaics: surrent state and actual directions of research за авторством V. P. Kostylov, A. V. Sachenko

Отримати повний текст

Molecular plasmonics – a novel research field in materials science and sensing. Applications and theoretical background (review) за авторством V. I. Chehel, A. M. Lopatynskyi

Отримати повний текст

InAs photodiodes (Review. Part IV) за авторством A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, A. I. Tkachuk, S. P. Trotsenko

Отримати повний текст

Preparation and characterization of AI-VIIIVVI semiconductor films and the functional structures based on them: features and capabilities of the CVD method using dithiocarbamates за авторством L. V. Zavjalova, G. S. Svechnikov, N. N. Roshchina, B. A. Snopok

Отримати повний текст