Определение обогащения урановых материалов гамма-спектрометрическими методами за авторством Кутний, Д.В., Телегин, Ю.Н., Одейчук, Н.П., Михайлов, В.А., Товканец, В.Е.

Отримати повний текст

Змочування та контактна взаємодія ZnO з розплавами системи Ag-Ge за авторством Дуров, O. В., Євтушенко, A. I., Коваль, O. Ю., Стецюк, T. В., Полуянська, В. В., Шаповал, І. В.

Отримати повний текст

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания... за авторством Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Кулиев, Ш.М.

Отримати повний текст

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Modeling high performance multilayer antireflection coatings for visible and infrared (3-5μm) substrates за авторством Asghar, M.H., Khan, M.B., Naseem, S.

Отримати повний текст

Нелинейные эффекты генерации высших гармоник упругих волн сдвига в слое между разнородными полупространствами... за авторством Сторожев, В.И., Щербак, Н.В.

Отримати повний текст

Особливості поширення світла в елементарних напівпровідниках під час лазерної обробки за авторством Точилін, С.Д.

Отримати повний текст

Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films за авторством Shchurova, T.N., Savchenko, N.D., Popovic, K.O., Baran, N.Yu.

Отримати повний текст

Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K за авторством Abbasov, Sh.M., Agaverdiyeva, Y.T., Kerimova, T.I.

Отримати повний текст

Исследование влияния реакторного облучения на термоэлектрические свойства сильнолегированного n- и p-Si₀,₇Ge₀,₃... за авторством Бокучава, Г. В., Мургулия, Г. Э., Кашия, В. Г.

Отримати повний текст

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100) за авторством Terebinska, M. I., Filonenko, O. V., Lobanov, V. V.

Отримати повний текст

Безпровідна система моніторингу деформацій з використанням тензорезисторів на основі ниткоподібних кристалів кремнію... за авторством Druzhinin, Anatoliy, Koretskyi, Roman, Nichkalo, Stepan, Talanchuk, Danylo

Отримати повний текст

Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя за авторством Точилин, Д.С., Лущин, С.П., Точилин, С.Д.

Отримати повний текст

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію за авторством Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.

Отримати повний текст

Извлечение ценных металлов при переработке промышленных отходов биотехнологическими методами (Обзор)... за авторством Блайда, И.А.

Отримати повний текст

Оптимизация состава питательной среды для культивирования Spirulina platensis Geitl. (Cyanophyta) методом математического планирования эксперимента... за авторством Рудик, В.Ф., Бульмага, В.П., Максакова, С.В.

Отримати повний текст

Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц за авторством Филиппов, В.В.

Отримати повний текст

Синтез наноструктур з кристалічного оксиду цинку за авторством Gorbyk, P. P., Dubrovin, I. V., Demchenko, Yu. O., Kashun, G. M., Lytvyn, Yu. M.

Отримати повний текст

Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах за авторством Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.

Отримати повний текст

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів... за авторством Гайдар, Г.П.

Отримати повний текст