Fourier-Stokes polarimetry of fields corresponding to linearly and circularly polarized birefringent protein networks за авторством A. O. Karachevtsev

Отримати повний текст

Polarization correlometry of nets for characteristic states in Mueller-matrix patterns inherent to phase-inhomogeneous biological layers за авторством Yu. Novakovska

Отримати повний текст

Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter за авторством R. Nizam, S. Mahdi, A. Rizvi, A. Azam

Отримати повний текст

Complex index of refraction of indium nitride InN за авторством J. O. Akinlami, F. M. Bolaji

Отримати повний текст

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN за авторством J. O. Akinlami, I. O. Olateju

Отримати повний текст

Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures за авторством R. A. Muminov, A. K. Saymbetov, Yo. K. Toshmurodov

Отримати повний текст

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown за авторством A. B. Aleinikov, V. A. Berezovets, V. L. Borblik, M. M. Shwarts, Yu. M. Shwarts

Отримати повний текст

Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous filmsby the optical method за авторством V. M. Rubish, O. V. Kozusenok, P. P. Shtets, V. M. Marjan, E. V. Gera, A. A. Tarnaj

Отримати повний текст

Photoelectrical properties of nanoporous silicon за авторством A. I. Luchenko, K. V. Svezhentsova, M. M. Melnichenko

Отримати повний текст

Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements за авторством Yu. V. Gomeniuk

Отримати повний текст

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters за авторством A. Sarikov, V. Naseka

Отримати повний текст

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films за авторством Yu. Yu. Bacherikov, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Yu. Kolyadina, T. M. Lednova, O. B. Okhrimenko

Отримати повний текст

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach за авторством A. R. Jivani, A. R. Jani

Отримати повний текст

Binding energy of excitons in parabolic quantum wells in uniform electric and magnetic fields за авторством A. Taqi, J. Diouri

Отримати повний текст

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type за авторством G. P. Gaidar

Отримати повний текст

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses за авторством M. Vakiv, R. Golovchak, D. Chalyy, M. Shpotyuk, S. Ubizskii, O. Shpotyuk

Отримати повний текст

Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions за авторством R. R. Rosul, P. P. Guranich, O. O. Gomonnai, A. G. Slivka, Yu. Rigan, V. M. Rubish, O. G. Guranich, A. V. Gomonnai

Отримати повний текст

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe за авторством Z. D. Kovalyuk, V. Y. Duplavyy, O. M. Sydor

Отримати повний текст

Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu2S за авторством V. A. Borschak, Ie. V. Brytavskyi, V. A. Smyntyna, Ya. I. Lepikh, A. P. Balaban, N. P. Zatovskaya

Отримати повний текст

Experimental and theoretical study of stimulated Raman scattering indicatrix asymmetry за авторством M. V. Dmitriev, Iu. Isaienko, A. I. Ivanisik, P. A. Korotkov

Отримати повний текст