Mathematical model of photoacoustic microscopy with piezoelectric detection за авторством Vertsanova, E.V., Yakimenko, Yu.I.

Отримати повний текст

Review of a monographs за авторством Glinchuk, K.D.

Отримати повний текст

On problem of the rigorous diffraction quantitative description за авторством Anokhov, S.

Отримати повний текст

III-V material solar cells for space application за авторством Torchynska, T.V., Polupan, G.P.

Отримати повний текст

Study of supercapacitors with a double electrical layer based on activated carbon materials за авторством Budzulyak, I.M., Kovalyuk, Z.D., Motsnyi, F.V., Orletskyi, V.B.

Отримати повний текст

Thermoelastic stresses and defect production in semiconductor-insulator structures at isothermic heating за авторством Agueev, O.A., Svetlichnyi, A.M.

Отримати повний текст

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures за авторством Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.

Отримати повний текст

Modified optical OR and AND gates за авторством Srinivasulu, Avireni

Отримати повний текст

Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method за авторством Gorbatyuk, I.N., Zhikharevich, V.V., Ostapov, S.E.

Отримати повний текст

Cyclotron radiation of semiconductor crystals за авторством Milenin, G.V., Milenin, V.V., Red'ko, R.A.

Отримати повний текст

News from laboratories: Anti-reflective single-mode continuous-wave fiber laser series

Отримати повний текст

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers за авторством Boiko, I.I.

Отримати повний текст

Ferromagnetism in Co-doped ZnO films grown by molecular beam epitaxy: magnetic, electrical and microstructural studies за авторством Strelchuk, V.V., Bryksa, V.P., Avramenko, K.A., Lytvyn, P.M., Valakh, M.Ya., Pashchenko, V.O., Bludov, O.M., Deparis, C., Morhain, C., Tronc, P.

Отримати повний текст

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Zhigunov, V.S., Konakova, R.V., Panteleev, V.N., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

The formation mechanism of modified thin-film structures based on Ge-Se(S) systems and its influence on physical properties за авторством Horvat, G.T., Kondratenko, O.S., Loja, V.Ju., Myholynets, I.M., Rosola, I.J., Jurkovуch, N.V.

Отримати повний текст

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands за авторством Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.

Отримати повний текст

Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field за авторством Trachevsky, V.V., Steblenko, L.P., Demchenko, P.Y., Koplak, O.V., Kuryliuk, A.M., Melnik, A.K.

Отримати повний текст

Calculation of the spectra of characteristic electron losses in indium bromide за авторством Kolinko, M.O., Bovgyra, O.V.

Отримати повний текст

Elimination of the data-dependent defects by doubling the frequency of driving signals for cholesteric LCDs за авторством Rybalochka, A.

Отримати повний текст

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide за авторством Katerynchuk, V.M., Kudrynskyi, Z.R.

Отримати повний текст