Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors за авторством Kosyachenko, L.A., Kulchynsky, V.V., Maslyanchuk, O.L., Paranchych, S.Yu., Sklyarchuk, V.M.

Отримати повний текст

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions за авторством Kovalyuk, Z.D., Makhniy, V.P., Yanchuk, O.I.

Отримати повний текст

Optical properties of ZnO aggregates in KBr matrix за авторством Samah, M., Bouguerra, M., Khelfane, H.

Отримати повний текст

Vacuum method for creation of liquid crystal orienting microrelief за авторством Kolomzarov, Yu., Oleksenko, P., Sorokin, V., Tytarenko, P., Zelinskyy, R.

Отримати повний текст

The simple approach to determination of active diffused phosphorus density in silicon за авторством Sasani, M.

Отримати повний текст

Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy за авторством Grinberg, Marek

Отримати повний текст

Multiple scattering effect on luminescence of the dyed polymer matrix за авторством Tikhonov, E., Yashchuk, V., Prygodjuk, O., Bezrodny, V., Filatov, Yu.

Отримати повний текст

Photon Green’s functions theory for Coulomb correlated quantum well lasers за авторством Pereira Jr., M.F.

Отримати повний текст

Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures за авторством Muminov, R.A., Saymbetov, A.K., Toshmurodov, Yo.K.

Отримати повний текст

Photoluminescence of As₂S₃ doped with Cr and Yb за авторством Stronski, A.V., Paiuk, O.P., Strelchuk, V.V., Nasieka, Iu.M., Vlček, M.

Отримати повний текст

Optical intersubband transitions in quantum wires with an applied magnetic field за авторством Ibragimov, G.B.

Отримати повний текст

The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon за авторством Swiatek, Z., Lytvynchuk, I., Fodchuk, I.

Отримати повний текст

Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample за авторством Serdega, B.K., Nikitenko, E.V., Prikhodenko, V.I.

Отримати повний текст

Difference harmonic generation due to spin-flip transitions in an asymmetric quantum well за авторством Korovin, A.V.

Отримати повний текст

Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs за авторством Lysenko, V.S., Tyagulski, I.P., Gomeniuk, Y.V., Osiyuk, I.N.

Отримати повний текст

New method of apertured electromagnetic field modeling за авторством Anokhov, S., Khizhnyak, A., Lymarenko, R.

Отримати повний текст

Interface roughness induced intrasubband scattering in a quantum well under an electric field за авторством Ibragimov, G.B.

Отримати повний текст

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions за авторством Deibuk, V.G., Shakhovtsova, S.I., Shenderovski, V.A., Tsmots, V.M.

Отримати повний текст

Resonance generation of sum harmonic in static electric field за авторством Venger, E.F., Griban, V.M., Melnichuk, A.V.

Отримати повний текст

Pre- and postmelting of cadmium telluride за авторством Shcherbak, L.P., Feichouk, P.I., Plevachouk, Yu.A., Kopach, O.V., Turyanska, L.T.

Отримати повний текст