Development of the physical insight into the nature of the factors that control electrophysical and other properties of semiconductors за авторством Baranskii, P.I., Babich, V.M., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments за авторством Litovchenko, V.G., Efremov, A.A., Evtukh, A.A., Rassamakin, Yu.V., Klyui, M.I., Kostylov, V.P.

Отримати повний текст

Features of conduction electrons motion in the field of coherent light beams за авторством Semchuk, O.Yu., Willander, M., Karlsteen, M.

Отримати повний текст

Photoluminescence of pentacene solutions in n-pentyl-n-cyanobiphenyl за авторством Piryatinskiy, Yu., Furier, M., Nazarenko, V.

Отримати повний текст

Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon за авторством Vakulenko, O.V., Kondratenko, S.V., Serdega, B.K.

Отримати повний текст

About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs за авторством Litovchenko, N.M., Prokhorovich, A.V., Strilchuk, O.N.

Отримати повний текст

Features of photoinduced charge transfer in photomagnetic garnets YIG:Si and YIG:Co за авторством Davidenko, I.I.

Отримати повний текст

Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses за авторством Stronski, A.V., Vlček, M., Oleksenko, P.F.

Отримати повний текст

Features of optical properties of ferromagnetic semiconductors with dynamic laser-induced gratings за авторством Semchuk, O.Yu., Veskliarskii, R.Z., Kosharskii, K.G.

Отримати повний текст

The influence of heating temperature and sizes of components upon stresses and defect formation in semiconductor structures under isothermal heating за авторством Agueev, O.A., Svetlichny, A.M.

Отримати повний текст

Current flow mechanisms in p-i-n­ structures based on cadmium telluride за авторством Gorley, P.M., Demych, M.V., Makhniy, V.P., Horvath, Zs.J., Shenderovsky, V.A.

Отримати повний текст

Optoelectronic sensor of longitudinal and angular displacements за авторством Dlugaszek, A., Jabczynski, J., Janucki, J., Skrzeczanowski, W.

Отримати повний текст

Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells за авторством Gorban, A.P., Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V.

Отримати повний текст

Development and optical characteristics of the macroporous silicon structures за авторством Karachevtseva, L.A., Lytvynenko, O.A., Stronska, O.J.

Отримати повний текст

Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers за авторством Holiney, R.Yu., Matveeva, L.A., Venger, E.F.

Отримати повний текст

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions за авторством Tomashik, Z.F., Danylenko, S.G., Tomashik, V.N., Kravetski, M.Yu.

Отримати повний текст

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures за авторством Sachenko, A.V., Kryuchenko, Yu.V.

Отримати повний текст

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors за авторством Slipokurov, V.S., Dub, M.M., Tkachenko, A.K., Kudryk, Ya.Ya.

Отримати повний текст

Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices за авторством Trubitsyn, Yu.V., Zverev, S.V.

Отримати повний текст

Rapidly grown KDP crystals за авторством Salo, V.I.

Отримати повний текст