Assessment of the greenhouse gases emissions reduction by the coal sector of Ukraine to meet international climate agreements von Leshchenko I.Ch.

Volltext

Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films von Żuberek, R., Nesteruk, K., Fronc, K., Piechota, S., Szymczak, H.

Volltext

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE von Krukovsky, S.I., Zayachuk, D.M., Rybak, O.V., Mryhin, I.O.

Volltext

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films von Konakova, R.V., Sosnova, M.V., Red’ko, S.M., Milenin, V.V., Red’ko, R.A.

Volltext

Effects of LO-phonon confinement on electron mobility in GaAs-Al₀.₄₅ Ga₀.₅₅As superlattice von Abouelaoualim, D.

Volltext

Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components von Belgat, M., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y.

Volltext

Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface von Dmitruk, N.L., Borkovskaya, O.Yu., Mamykin, S.V., Havrylenko, T.S., Mamontova, I.B., Kotova, N.V., Basiuk, E.V.

Volltext

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures von Masselink, W.T., Kissel, H., Mueller, U., Walther, C., Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G., Lisitsa, M.P., Lavoric, S.R., Zhuchenko, Z.Ya.

Volltext

Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs von Khemissi, S., Merabtine, N., Zaabat, M., Kenzai, C., Saidi, Y., Amourache, S.

Volltext

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity von Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Olikh, Ya.M., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

Volltext

Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions von Brodovoy, А.V., Veremenko, A.M., Skryshevsky, V.A., Vlasyuk, А.V.

Volltext

Electron beam formation in magnetron guns with cathodes of millimeter diameters: experiment and simulation von Mazmanishvili, O.S., Reshetnyak, M.G., Chertischev, I.A.

Volltext

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons von Vernydub, R.M., Kyrylenko, O.I., Konoreva, O.V., Olikh, Ya.M., Litovchenko, P.G., Pavlovskyy, Yu.V., Potera, P., Tartachnyk, V.P.

Volltext

La notion du fantastique dans «La Guzla» de Prosper Merimee von Kuskova, A.V.

Volltext

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны von Иванов, В.Н., Ковтонюк, В.М., Николаенко, Ю.Е.

Volltext

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs von Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.

Volltext

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского... von Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Кондрик, А.И., Щербань, А.П.

Volltext

Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом... von Москаль, Д.С., Надточий, В.А.

Volltext

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками von Вакуленко, О.В., Головинський, С.Л., Кондратенко, С.В.

Volltext

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского... von Kovtun, G. P., Kravchenko, A. I., Kondrik, A. I., Shcherban', A. P., Kondrik, A. I.

Volltext