Nonparabolicity effects on electron-confined LO-phonon scattering rates in GaAs-Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As superlattice за авторством Abouelaoualim, D.

Отримати повний текст

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis за авторством Belyaev, A.E., Bobyl, A.V., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Konnikov, S.G., Kudryk, Ya.Ya., Markovskiy, E.P., Milenin, V.V., Rudenko, E.M., Tereschenko, G.F., Ulin, V.P., Ustinov, V.M., Tsirlin, G.E., Shpak, A.P.

Отримати повний текст

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs за авторством Kondryuk, D.V., Derevyanchuk, A.V., Kramar, V.M., Kudryavtsev, A.A.

Отримати повний текст

Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity за авторством Moskal, D., Nadtochiy, V., Golodenko, N.

Отримати повний текст

Україномовні переклади елегії Поля Верлена «Il pleure dans mon coeur…»: інтермедіальний аспект за авторством Волковинська, І.

Отримати повний текст

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs... за авторством Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.

Отримати повний текст

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs за авторством Мелебаев, Д., Мелебаева, Г.Д., Рудь, Ю.В., Рудь, В.Ю.

Отримати повний текст

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... за авторством Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.

Отримати повний текст

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs за авторством Круковский, С.И., Николаенко, Ю.Е.

Отримати повний текст

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии за авторством Николаенко, Ю.Е., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Рыбак, О.В., Мрыхин, И.А.

Отримати повний текст

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi за авторством Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Завербный, И.Р., Мрыхин, И.А.

Отримати повний текст

The magnetic field effect on electron beam generation in magnetron injection guns with secondary-emission cathodes за авторством Dovbnya, A.N., Zakutin, V.V., Reshetnyak, N.G., Romas’ko, V.P., Bovda, A.M., Utva, O.M., Pokas, V.F., Jeran, L.V., Krasnogolovets, M.A., Volkolupov, Yu.Ya.

Отримати повний текст

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs за авторством Krukovskiy, S. I., Nikolayenko, Yu. E.

Отримати повний текст

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.

Отримати повний текст

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs за авторством Melebayev, D., Melebayeva, G. D., Rud, Yu. V., Rud, V. Yu.

Отримати повний текст

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons за авторством R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, Ya. M. Olikh, P. G. Litovchenko, Yu. V. Pavlovskyy, P. Potera, V. P. Tartachnyk

Отримати повний текст

Theoretical and methodical bases of logistic "gaps" in the chains of commodity markets за авторством O. V. Nikishyna, M. L. Tarakanov

Отримати повний текст

The efficiency of adjuvant AGNS 1056-X joint application with herbicides aryloxyphenoxy propionic acid derivatives за авторством Ye. Yu. Morderer, Zh. Z. Guralchuk, O. P. Rodzevych, L. Novak

Отримати повний текст

The Dispute on Philosophical Normativism in the Context of the Problem of Rational Grounding: Hans Albert versus Wolfgang Kuhlmann за авторством L. Karachevtseva

Отримати повний текст

Algorithm of calculation of focal parameters of profile electron beams, formed by the gas-discharge electron guns за авторством I. V. Melnyk, A. V. Pochynok

Отримати повний текст