RHEED digital image analysis system for in-situ growth rate and alloy composition measurements of GaAs-based nanostructures von Sghaier, H., Bouzaiene, L., Sfaxi, L., Maaref, H.

Volltext

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects von Masselink, W.T., Kissel, H., Mueller, U., Walther, C., Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G ., Rudko, G.Yu., Valakh, M.Ya., Malyarchuk, V., Zhuchenko, Z.Ya.

Volltext

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation von Milenin, G.V., Red’ko, R.A.

Volltext

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy von Sapaev, B., Saidov, A.S., Sapaev, I.B.

Volltext

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments von Milenin, G.V., Red’ko, R.A.

Volltext

Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs von Филь, Д.В.

Volltext

Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation von Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O.

Volltext

The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation von Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K.

Volltext

Gothie et Crimee de 750 a 830 dans les sources ecclesiastiques et monastiques grecques von Auzepy M.-F.

Volltext

Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs... von Венгер, Є.Ф., Матвеєва, Л.О., Колядіна, О.Ю., Клименко, А.П.

Volltext

Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs... von Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.

Volltext

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.

Volltext

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

Volltext

|Review| Benfoughal T. Les palmes du savoir-faire : la vannerie dans les oasis du Sahara von H. Kabakova

Volltext

Hans Koch – soldier, secret service agent, scientist, "eerily normal person" von I. S. Monolatii

Volltext

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments von G. V. Milenin, R. A. Redko

Volltext

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation von G. V. Milenin, R. A. Redko

Volltext

Research of operating peculiarities of the system "main fans - ventilation network" in coal mines von T. V. Bunko, Sh. Zhalilov, I. E. Kokoulin

Volltext

Interaction between two elastic bodies in the presence of periodically arranged interface gaps filled with a real gas von O. P. Kozachok, B. S. Slobodian, R. M. Martyniak

Volltext

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs von D. V. Kondryuk, A. V. Derevyanchuk, V. M. Kramar, A. A. Kudryavtsev

Volltext