Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов за авторством Nevlyudov, Nevlyudov I. Sh., Martynyak, R. M., Palagin, V. A., Slobodyan, B. S., Razumov-Frizyuk, E. A., Zharikova, I. V., Dmytriv, M. I., Belyaev, A. S.

Отримати повний текст

Сшивка полигонов на двухслойной печатной плате за авторством Murov, S. Yu.

Отримати повний текст

Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных про­цес­со­ров корреляционного типа... за авторством Lipinskii, A. Yu., Rudiakova, A. N., Danilov, V. V.

Отримати повний текст

Математическая модель процесса избыточных измерений при непрерывном воздействии из­ме­ря­емой физической величины на чувствительный элемент датчика... за авторством Redko, V. V.

Отримати повний текст

Особливості проєктування поздовжньо-співвісних хвилеводно-мікросмужкових з’єднувачів за авторством Glushechenko, Eduard

Отримати повний текст

Модель алмазного транзистора за авторством Altukhov, A. A., Zyabluk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.

Отримати повний текст

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала за авторством Koval’chuk, V. A., Sevast’yanov, V. V.

Отримати повний текст

Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в про­ст­ран­стве вейвлет-преобразования... за авторством Shcherbakova, G. Yu., Dilevsky, A. A., Krylov, V. N., Logvinov, O. V., Plachinda, O. E.

Отримати повний текст

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных ком­по­зи­ци­ях K2Cr2O7–HBr за авторством Pavlovich, I. I., Tomashik, Z. F., Tomashik, V. N., Stratiichuk, I. B.

Отримати повний текст

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кри­с­та­л­ла интегральной схемы... за авторством Popov, V. M., Klimenko, A. S., Pokanevich, A. P., Samotovka, V. L.

Отримати повний текст

Особенности конденсации фуллеренов из молекулярного пучка в вакууме за авторством Neluba, P. L.

Отримати повний текст

Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O3 за авторством Kuzenko, D. V., Bazhin, A. I., Stupak, V. A., Kisel, M. G., Dorofeeva, V. V., Starshinov, I. M., Pokintelitsa, A. E.

Отримати повний текст

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulhaev, O. A., Karimov, A. A., Asanova, G. O.

Отримати повний текст

Измерительный преобразователь, индифферентный к хаотическому возбуждению чув­стви­тель­но­го элемента... за авторством Korotkii, V. P., Il’in, V. N.

Отримати повний текст

Фокусировка интенсивных электронных потоков в спиральной ЛБВ с МПФС с не­си­ну­со­и­даль­ным полем... за авторством Chasnyk, V. I.

Отримати повний текст

Реалізація кодека Манчестер для систем передавання інформації на основі мікроконтролерів AVR- та ARM-архітектури... за авторством Sadchenko, Andrey, Kushnirenko, Oleg, Kushnirenko, Nataliia, Sadchenko, Olha, Troyanskiy, Alexander

Отримати повний текст

Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат... за авторством Sakhno, E. A., Balashov, M. A., Zhilikov, V. V., Lobasov, D. V.

Отримати повний текст

Термовакуумные испытания системы электроcнабжения наноспутника НТУУ «КПИ» за авторством Rassamakin, B. M., Khairnasov, S. M., Khominich, V. I., Budionnyi, A. V., Kovalenko, E. Yu., Eliseyev, Ye. N.

Отримати повний текст

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей за авторством Druzhinin, A. A., Ostrovskii, I. P., Khoverko, Yu. N., Nichkalo, S. I., Berezhanskii, Ye. I.

Отримати повний текст

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза за авторством Altukhov, A. A., Afanas’ev, M. S., Zyabliuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V.

Отримати повний текст