Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing за авторством Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I.

Отримати повний текст

Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride за авторством Ilchuk, G.A.

Отримати повний текст

Optical properties of thin gold film за авторством Kovalenko, S.A., Fedorovych, R.D.

Отримати повний текст

Simple waveguide model of arbitrary filled plane-plane cavity за авторством Anokhov, S.

Отримати повний текст

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals за авторством Prokopenko, I.V., Kislovskii, E.N., Olikhovskii, S.I., Tkach, V.M., Lytvyn, P.M., Vladimirova, T.P.

Отримати повний текст

About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals за авторством Borkovskaya, L.V., Dzhumaev, B.R., Khomenkova, L.Yu., Korsunskaya, N.E., Markevich, I.V., Sheinkman, M.K.

Отримати повний текст

Thermoelectric properties of solid solutions based on tin telluride за авторством Freik, D.M., Galushchak, M.O., Ivanishin, I.M., Shperun, V.M., Zapukhlyak, R.I., Pyts, M.V.

Отримати повний текст

Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors за авторством Venger, Ye.F., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F.

Отримати повний текст

Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium за авторством Lashkarev, G.V., Radchenko, M.V., Slynko, E.I., Vodopiyanov, V.N., Asotsky, V.V., Kaminsky, V.M., Beketov, G.V., Rengevich, E.V.

Отримати повний текст

Paraelectric properties of PbTe doped with Ga за авторством Tetyorkin, V., Movchan, S.

Отримати повний текст

Recrystallization processes in screen-printed CdS films за авторством Klad’ko, V.P., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Osipenok, N.M., Pekar, G.S., Prokopenko, I.V., Singaevsky, A.F., Korchevoy, A.A.

Отримати повний текст

Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals за авторством Kaganovich, E.B., Kirillova, S.I., Manoilov, E.G., Primachenko, V.E., Svechnikov, S.V., Venger, E.F., Bazylyuk, I.R.

Отримати повний текст

Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers за авторством Semenova, G.N., Venger, E.F., Korsunska, N.O., Klad’ko, V.P., Borkovska, L.V., Semtsiv, M.P., Sharibaev, M.B., Kushnirenko, V.I., Sadofyev, Yu.G.

Отримати повний текст

Optical and magneto-optical properties of thin films for high density information recording за авторством Kravets, V.G., Poperenko, L.V., Yurgelevich, I.V., Petford-Long, A.K.

Отримати повний текст

Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface за авторством Normuradov, M.T., Umirzakov, B.E., Tashmukhamedova, D.A., Tashatov, A.K.

Отримати повний текст

The effect of doping methods on electrical properties and micromorphology of polysilicon gate electrode in submicron CMOS devices за авторством Ahmad, I., Omar, A., Mikdad, A.

Отримати повний текст

The influence of depolarization field on dielectric and pyroelectric properties of ferroelectric films за авторством Glinchuk, M.D., Eliseev, E.A., Stephanovich, V.A.

Отримати повний текст

Model of dynamic indication in the bar graph form за авторством Bushma, A.V., Sypko, N.I.

Отримати повний текст

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC за авторством Vlaskina, S.I.

Отримати повний текст

Performance of optical and hybrid joint transform correlators for tasks of optical security за авторством Muravsky, L.I., Kulynych, Ya.P., Maksymenko, O.P., Voronyak, T.I., Pogan, L.Y., Vladimirov, F.L., Kostyukevych, S.A., Fitio, V.M.

Отримати повний текст