Результати пошуку - Świątek, Z.
- Показ 1 - 4 результатів із 4
-
1
The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon за авторством Swiatek, Z., Lytvynchuk, I., Fodchuk, I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry за авторством Fodchuk, І.М., Dovganyuk, V.V., Litvinchuk, Т.V., Kladko, V.P., Slobodian, М.V., Gudymenko, O.Yo., Swiatek, Z.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
4
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data за авторством Borcha, M.D., Solodkyi, M.S., Balovsyak, S.V., Tkach, V.M., Hutsuliak, I.I., Kuzmin, A.R., Tkach, O.O., Kladko, V.P., Gudymenko, O.Yo., Liubchenko, О.І., Swiatek, Z.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Отримати повний текст
Стаття