Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов

von Попович, Н.И., Довгошей, Н.И., Качер, И.Э.
Veröffentlicht 2001

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами

von Кондрат, А.Б., Довгошей, Н.И., Поляк, Я.М., Сидор, Ю.Й., Повч, Р.М.
Veröffentlicht 2001