Показ 1 - 2 результатів із 2 для пошуку 'Довгошей, Н.И.', час виконання запиту: 0.00сек. Уточнити результати
  1. 1
    Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
    за авторством Попович, Н.И., Довгошей, Н.И., Качер, И.Э.
    Опубліковано 2001
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
    за авторством Кондрат, А.Б., Довгошей, Н.И., Поляк, Я.М., Сидор, Ю.Й., Повч, Р.М.
    Опубліковано 2001
    Отримати повний текст
    Стаття
    Додати у Вибране
    Збережено в:
Інструменти для пошуку: Отримати RSS-стрічку – Відправити пошук е-поштою