Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si за авторством Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.

Отримати повний текст

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс” за авторством Савицкий, Г.В., Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Могиляк, И.А., Тростинский, И.П.

Отримати повний текст