Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |