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Олимов, Л.
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1
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
von
Олимов, Л.О.
Veröffentlicht 2010
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2
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур...
von
Алиев, Р.
,
Мухтаров, Э.
,
Олимов, Л.
Veröffentlicht 2010
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Artikel
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3
Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности...
von
Алиев, Р.
,
Олимов, Л.
,
Мухтаров, Э.
,
Алиева, Ж.
Veröffentlicht 2011
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4
Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда...
von
Абдурахманов, Б.М.
,
Олимов, Л.О.
,
Абдуразаков, Ф.
Veröffentlicht 2010
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Artikel
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5
Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния
von
Олимов, Л.О.
,
Муйдинова, М.
,
Омонбоев, Ф.Л.
Veröffentlicht 2013
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6
Переключение тока и напряжения при нагреве беспереходного поликристаллического кремния, легированного щелочными металлами в области межзеренных границ...
von
Олимов, Л.О.
,
Абдурахманов, Б.М.
,
Омонбоев, Ф.Л.
Veröffentlicht 2014
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7
Влияние атомов щелочных металлов на фотоэлектрические свойства поликристаллических кремниевых солнечных элементов...
von
Олимов, Л.О.
,
Абдурахманов, Б.М.
,
Омонобоев, Ф.Л.
,
Юсупов, А.Х.
,
Сохибова, З.М.
Veröffentlicht 2016
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