Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

von Турцевич, А.С.
Veröffentlicht 2008

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

von Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
Veröffentlicht 2012

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста...

von Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
Veröffentlicht 2009

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста

von Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
Veröffentlicht 2012

Мировые тенденции развития микроэлектроники и место Республики Беларусь в этом процессе

von Белоус, А.И., Пилипенко, В.А., Турцевич, А.С., Шведов, С.В.
Veröffentlicht 2012

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

von Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьёв, Я.А., Рубцевич, И.И., Керенцев, А.Ф.
Veröffentlicht 2012

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

von Пилипенко, В.А., Горушко, В.А., Петлицкий, А.Н., Понарядов, В.В., Турцевич, А.С., Шведов, С.В.
Veröffentlicht 2013

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром...

von Турцевич, А.С., Рубцевич, И.И., Соловьев, Я.А., Васьков, О.С., Кононенко, В.К., Нисс, В.С., Керенце, А.Ф.
Veröffentlicht 2012

Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза

von Сидский, В.В., Рыбаков, А.Г., Семченко, А.В., Осипова, И.Ю., Колос, В.В., Турцевич, А.С., Асадчий, А.Н.
Veröffentlicht 2014

Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

von Кучинский, П.В., Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Ковалева, Т.Б., Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьев, Я.А., Гапоненко, С.В.
Veröffentlicht 2014