Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

за авторством Турцевич, А.С.
Опубліковано 2008

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

за авторством Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
Опубліковано 2012

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста...

за авторством Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
Опубліковано 2009

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста

за авторством Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
Опубліковано 2012

Мировые тенденции развития микроэлектроники и место Республики Беларусь в этом процессе

за авторством Белоус, А.И., Пилипенко, В.А., Турцевич, А.С., Шведов, С.В.
Опубліковано 2012

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

за авторством Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьёв, Я.А., Рубцевич, И.И., Керенцев, А.Ф.
Опубліковано 2012

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

за авторством Пилипенко, В.А., Горушко, В.А., Петлицкий, А.Н., Понарядов, В.В., Турцевич, А.С., Шведов, С.В.
Опубліковано 2013

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром...

за авторством Турцевич, А.С., Рубцевич, И.И., Соловьев, Я.А., Васьков, О.С., Кононенко, В.К., Нисс, В.С., Керенце, А.Ф.
Опубліковано 2012

Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза

за авторством Сидский, В.В., Рыбаков, А.Г., Семченко, А.В., Осипова, И.Ю., Колос, В.В., Турцевич, А.С., Асадчий, А.Н.
Опубліковано 2014

Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

за авторством Кучинский, П.В., Комаров, Ф.Ф., Мильчанин, О.В., Ковалева, Т.Б., Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьев, Я.А., Гапоненко, С.В.
Опубліковано 2014