Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм за авторством Tetyorkin, V., Tsybrii, Z., Slipokurov, V., Yevmenova, A., Andrieieva, K., Kosulya, O.

Отримати повний текст

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні за авторством Staryi, S., Lysjuk, I., Golenkov, O., Tsybrii, Z., Danilov, S., Gumenjuk-Sichevska, J., Andrieieva, K., Smolii, M., Sizov, F.

Отримати повний текст