Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм

• Дата: 2025
• Автори: Tetyorkin, V., Tsybrii, Z., Slipokurov, V., Yevmenova, A., Andrieieva, K., Kosulya, O.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2025
• Теми: IЧ фотодiоди; HgCdTe; InSb; механiзми транспорту носiїв заряду; моделювання темнового струму
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023463
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

An important problem for HgCdTe and InSb photodiodes is the excess dark current, which dominates at operating reverse bias voltages and exceeds the generation-recombination current in the space charge region. As a rule, the excess current has the bulk and surface components and causes the 1/f -type...