Suchergebnisse - Bonchyk, A. Yu.

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    Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

    Veröffentlicht 2005
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    Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group von Vlasov, A.P., Bonchyk, A.Yu., Fodchuk, I.M., Barcz, A., Swiatek, Z.T., Zaplitnyy, R.A.

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