Харвестер відкритої науки НАН України

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2

von D. I. Bletskan, V. V. Frolova
Veröffentlicht 2018

Acousto-optic properties of GexS100–x glasses and acousto-optic modulator on their basis

von D. I. Bletskan, V. V. Vakulchak, V. I. Fedelesh
Veröffentlicht 2014

Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment

von D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova
Veröffentlicht 2016

Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination

von M. M. Bletskan, D. I. Bletskan, V. M. Kabatsii
Veröffentlicht 2015

Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3

von D. I. Bletskan, V. V. Vakulchak, I. P. Studenyak
Veröffentlicht 2019

Electronic structure of Ag8GeS6

von D. I. Bletskan, I. P. Studenyak, V. V. Vakulchak, A. V. Lukach
Veröffentlicht 2017

Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3

von D. I. Bletskan, V. V. Vakulchak, K. E. Glukhov, O. A. Mykaylo
Veröffentlicht 2013