Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: D. I. Bletskan, V. V. Frolova
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2018
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000941355
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозиторії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS