Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si von Fedosov, A.V., Luniov, S.V., Fedosov, S.A.

Volltext

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation von Fedosov, A.V., Koval, Y.V., Jashchinskij, L.V., Kovalchuk, O.V.

Volltext