Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [11...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |