Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту за авторством Luniov, S.V., Panasiuk, L.I., Fedosov, S.A.

Отримати повний текст

Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si за авторством Fedosov, A.V., Luniov, S.V., Fedosov, S.A.

Отримати повний текст

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів... за авторством Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.

Отримати повний текст