Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si

за авторством Fedosov, A.V., Luniov, S.V., Fedosov, S.A.
Опубліковано 2022

Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту

за авторством Luniov, S.V., Panasiuk, L.I., Fedosov, S.A.
Опубліковано 2012

Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів...

за авторством Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.
Опубліковано 2022