Харвестер відкритої науки НАН України

Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe...

за авторством Stakhira, J.M., Fl’unt, O.Ye., Fiyala, Ya.M.
Опубліковано 2022

Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures

за авторством Savchyn, V.P., Stakhira, J.M., Fiyala, Ya.M., Furtak, V.B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air

за авторством Balitskii, O.A., Savchyn, V.P., Savchyn, P.V., Fiyala, Ya.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2004)

Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In₄Se₃ layered crystals under interface formation

за авторством Galiy, P.V., Nenchuk, T.M., Losovyj, Ya.B., Fiyala, Ya.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)

Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief

за авторством Galiy, P.V., Ciszewski, A., Dveriy, O.R., Losovyj, Ya.B., Mazur, P., Nenchuk, T.M., Zuber, S., Fiyala, Ya.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)