An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications за авторством Houk, Yu., Iniguez, B., Flandre, D., Nazarov, A.

Отримати повний текст

Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation за авторством Houk, Y., Nazarov, A.N., Turchanikov, V.I., Lysenko, V.S., Andriaensen, S., Flandre, D.

Отримати повний текст