Suchergebnisse - Flandre, D.

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    An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications von Houk, Yu., Iniguez, B., Flandre, D., Nazarov, A.

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  2. 2
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    Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation von Houk, Y., Nazarov, A.N., Turchanikov, V.I., Lysenko, V.S., Andriaensen, S., Flandre, D.

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