Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

1

The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon за авторством Swiatek, Z., Lytvynchuk, I., Fodchuk, I.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Отримати повний текст

Стаття

2

Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection за авторством Balovsyak, S.V., Fodchuk, I.M., Lytvyn, P.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

3

Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution за авторством Fodchuk, I., Balovsyak, S., Borcha, M., Garabazhiv, Ya., Tkach, V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Отримати повний текст

Стаття

4

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon за авторством Gutsulyak, B.I., Oliynych-Lysyuk, A.V., Fodchuk, I.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

5

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности за авторством Doctorovich, I. V., Butenko, V. K., Hodovaniuk, V. N., Fodchuk, I. M., Yuriev, V. G.

Опубліковано 2008

Отримати повний текст

Стаття

6

Метрологические характеристики яркомера "Тензор-28" за авторством Fodchuk, I. M., Doktorovych, I. V., Godovaniouk, V. M., Butenko, V. K., Yuriev, V. G.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

7

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing за авторством Fodchuk, I.M., Gutsulyak, T.G., Himchynsky, O.G., Olijnich-Lysjuk, A.V., Raransky, N.D.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

8

Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals за авторством Popenko, N., Ivanchenko, I., Brovenko, I., Zhigalov, A., Karelin, S., Gorbatyuk, I., Ostapov, S., Dremlyuzhenko, S., Rarenko, I., Zaplitnyi, R., Fodchuk, I., Deibuk, V.G.

Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Отримати повний текст

Стаття

9

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells за авторством Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

10

Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals за авторством Molodkin, V.B., Olikhovskii, S.I., Len, E.G., Kyslovskyy, Ye.M., Reshetnyk, O.V., Vladimirova, T.P., Sheludchenko, B.V., Skakunova, E.S., Lizunov, V.V., Kochelab, E.V., Fodchuk, I.M., Klad’ko, V.P.

Опубліковано в: Металлофизика и новейшие технологии (2016)

Отримати повний текст

Стаття

Результати пошуку - Fodchuk, I.

The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon за авторством Swiatek, Z., Lytvynchuk, I., Fodchuk, I.

Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection за авторством Balovsyak, S.V., Fodchuk, I.M., Lytvyn, P.M.

Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution за авторством Fodchuk, I., Balovsyak, S., Borcha, M., Garabazhiv, Ya., Tkach, V.

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon за авторством Gutsulyak, B.I., Oliynych-Lysyuk, A.V., Fodchuk, I.M.

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности за авторством Doctorovich, I. V., Butenko, V. K., Hodovaniuk, V. N., Fodchuk, I. M., Yuriev, V. G.

Метрологические характеристики яркомера &quot;Тензор-28&quot; за авторством Fodchuk, I. M., Doktorovych, I. V., Godovaniouk, V. M., Butenko, V. K., Yuriev, V. G.

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing за авторством Fodchuk, I.M., Gutsulyak, T.G., Himchynsky, O.G., Olijnich-Lysjuk, A.V., Raransky, N.D.

Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals за авторством Popenko, N., Ivanchenko, I., Brovenko, I., Zhigalov, A., Karelin, S., Gorbatyuk, I., Ostapov, S., Dremlyuzhenko, S., Rarenko, I., Zaplitnyi, R., Fodchuk, I., Deibuk, V.G.

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells за авторством Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми

Метрологические характеристики яркомера "Тензор-28" за авторством Fodchuk, I. M., Doktorovych, I. V., Godovaniouk, V. M., Butenko, V. K., Yuriev, V. G.