Suchergebnisse - Fodchuk, I.

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    The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon von Swiatek, Z., Lytvynchuk, I., Fodchuk, I.

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    Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection von Balovsyak, S.V., Fodchuk, I.M., Lytvyn, P.M.

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    Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution von Fodchuk, I., Balovsyak, S., Borcha, M., Garabazhiv, Ya., Tkach, V.

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    Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon von Gutsulyak, B.I., Oliynych-Lysyuk, A.V., Fodchuk, I.M.

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    Оптический аттенюатор von Doctorovych, I. V., Fodchuk, I. M., Butenko, V. K., Hodovaniouk, V. M., Yuryev, V. H.

    Veröffentlicht 2005
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    Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности von Doctorovich, I. V., Butenko, V. K., Hodovaniuk, V. N., Fodchuk, I. M., Yuriev, V. G.

    Veröffentlicht 2008
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    Метрологические характеристики яркомера "Тензор-28" von Fodchuk, I. M., Doktorovych, I. V., Godovaniouk, V. M., Butenko, V. K., Yuriev, V. G.

    Veröffentlicht 2007
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    Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing von Fodchuk, I.M., Gutsulyak, T.G., Himchynsky, O.G., Olijnich-Lysjuk, A.V., Raransky, N.D.

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    Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group von Vlasov, A.P., Bonchyk, A.Yu., Fodchuk, I.M., Barcz, A., Swiatek, Z.T., Zaplitnyy, R.A.

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    Влияние нестабильности потока излучения ртутных ламп на калибровку приборов von Doktorovich, I. V., Fodchuk, I. M., Butenko, V. K., Godovanyuk, V. N., Ryukhtin, V. V., Yuryev, V. G.

    Veröffentlicht 2006
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  11. 11
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    Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals von Popenko, N., Ivanchenko, I., Brovenko, I., Zhigalov, A., Karelin, S., Gorbatyuk, I., Ostapov, S., Dremlyuzhenko, S., Rarenko, I., Zaplitnyi, R., Fodchuk, I., Deibuk, V.G.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2006)
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    Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells von Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.

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    Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions von Fodchuk, I.M., Gutsuliak, I.I., Zaplitniy, R.A., Balovsyak, S.V., Yaremiy, I.P., Bonchyk, O.Yu., Savitskiy, G.V., Syvorotka, I.M., Lytvyn, P.M.

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    Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals von Molodkin, V.B., Olikhovskii, S.I., Len, E.G., Kyslovskyy, Ye.M., Reshetnyk, O.V., Vladimirova, T.P., Sheludchenko, B.V., Skakunova, E.S., Lizunov, V.V., Kochelab, E.V., Fodchuk, I.M., Klad’ko, V.P.

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