Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

1

Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection за авторством Balovsyak, S.V., Fodchuk, I.M., Lytvyn, P.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

2

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon за авторством Gutsulyak, B.I., Oliynych-Lysyuk, A.V., Fodchuk, I.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Отримати повний текст

Стаття

3

Оптический аттенюатор за авторством Doctorovych, I. V., Fodchuk, I. M., Butenko, V. K., Hodovaniouk, V. M., Yuryev, V. H.

Опубліковано 2005

Отримати повний текст

Стаття

4

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности за авторством Doctorovich, I. V., Butenko, V. K., Hodovaniuk, V. N., Fodchuk, I. M., Yuriev, V. G.

Опубліковано 2008

Отримати повний текст

Стаття

5

Метрологические характеристики яркомера "Тензор-28" за авторством Fodchuk, I. M., Doktorovych, I. V., Godovaniouk, V. M., Butenko, V. K., Yuriev, V. G.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

6

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing за авторством Fodchuk, I.M., Gutsulyak, T.G., Himchynsky, O.G., Olijnich-Lysjuk, A.V., Raransky, N.D.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

7

Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group за авторством Vlasov, A.P., Bonchyk, A.Yu., Fodchuk, I.M., Barcz, A., Swiatek, Z.T., Zaplitnyy, R.A.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Отримати повний текст

Стаття

8

Влияние нестабильности потока излучения ртутных ламп на калибровку приборов за авторством Doktorovich, I. V., Fodchuk, I. M., Butenko, V. K., Godovanyuk, V. N., Ryukhtin, V. V., Yuryev, V. G.

Опубліковано 2006

Отримати повний текст

Стаття

9

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells за авторством Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

10

Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions за авторством Fodchuk, I.M., Gutsuliak, I.I., Zaplitniy, R.A., Balovsyak, S.V., Yaremiy, I.P., Bonchyk, O.Yu., Savitskiy, G.V., Syvorotka, I.M., Lytvyn, P.M.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Отримати повний текст

Стаття

11

Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals за авторством Molodkin, V.B., Olikhovskii, S.I., Len, E.G., Kyslovskyy, Ye.M., Reshetnyk, O.V., Vladimirova, T.P., Sheludchenko, B.V., Skakunova, E.S., Lizunov, V.V., Kochelab, E.V., Fodchuk, I.M., Klad’ko, V.P.

Опубліковано в: Металлофизика и новейшие технологии (2016)

Отримати повний текст

Стаття

Результати пошуку - Fodchuk, I.M.

Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection за авторством Balovsyak, S.V., Fodchuk, I.M., Lytvyn, P.M.

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon за авторством Gutsulyak, B.I., Oliynych-Lysyuk, A.V., Fodchuk, I.M.

Оптический аттенюатор за авторством Doctorovych, I. V., Fodchuk, I. M., Butenko, V. K., Hodovaniouk, V. M., Yuryev, V. H.

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности за авторством Doctorovich, I. V., Butenko, V. K., Hodovaniuk, V. N., Fodchuk, I. M., Yuriev, V. G.

Метрологические характеристики яркомера &quot;Тензор-28&quot; за авторством Fodchuk, I. M., Doktorovych, I. V., Godovaniouk, V. M., Butenko, V. K., Yuriev, V. G.

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing за авторством Fodchuk, I.M., Gutsulyak, T.G., Himchynsky, O.G., Olijnich-Lysjuk, A.V., Raransky, N.D.

Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group за авторством Vlasov, A.P., Bonchyk, A.Yu., Fodchuk, I.M., Barcz, A., Swiatek, Z.T., Zaplitnyy, R.A.

Влияние нестабильности потока излучения ртутных ламп на калибровку приборов за авторством Doktorovich, I. V., Fodchuk, I. M., Butenko, V. K., Godovanyuk, V. N., Ryukhtin, V. V., Yuryev, V. G.

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells за авторством Fodchuk, I.M., Gevyk, V.B., Gimchinsky, O.G., Kislovskii, E.N., Kroytor, O.P., Molodkin, V.B., Olihovskii, S.I., Pavelescu, E.M., Pessa, M.

Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions за авторством Fodchuk, I.M., Gutsuliak, I.I., Zaplitniy, R.A., Balovsyak, S.V., Yaremiy, I.P., Bonchyk, O.Yu., Savitskiy, G.V., Syvorotka, I.M., Lytvyn, P.M.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми

Метрологические характеристики яркомера "Тензор-28" за авторством Fodchuk, I. M., Doktorovych, I. V., Godovaniouk, V. M., Butenko, V. K., Yuriev, V. G.