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Харвестер відкритої науки НАН України
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Frolova, V.V.
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Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
von
Bletskan, D.I.
,
Frolova, V.V.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2018)
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Electronic structure of 2H-SnSe₂: ab initio modeling and comparison with experiment
von
Bletskan, D.I.
,
Glukhov, K.E.
,
Frolova, V.V.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2016)
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