Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
It was performed the systematic investigation of the chemical modification regularities of electronic structure at the composition changes of “ideal” 2H-SnS₂ crystal was performed by using the self-consistent density functional theory method in the supercell model. The phases obtained during doping...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215327 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂ / D.I. Bletskan, V.V. Frolova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 4. — С. 345-359. — Бібліогр.: 36 назв. — англ. |