Харвестер відкритої науки НАН України

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals

за авторством Galiy, P.V., Musyanovych, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface

за авторством Galiy, P., Nenchuk, T., Ciszewski, A., Mazur, P., Zuber, S., Yarovets, I.
Опубліковано в: Металлофизика и новейшие технологии (2015)

Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв...

за авторством Galiy, P. V., Losovyj, Ya. B., Nenchuk, T. M., Yarovets’, I. R.
Опубліковано 2018

Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In₄Se₃ layered crystals under interface formation

за авторством Galiy, P.V., Nenchuk, T.M., Losovyj, Ya.B., Fiyala, Ya.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)

Indium induced nanostructures on In₄Se₃(100) surface studied by scanning tunneling microscopy

за авторством Galiy, P.V., Nenchuk, T.M., Ciszewski, A., Mazur, P., Zuber, S., Buzhuk, Ya.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2013)

Structural Aspect of Formation of a Nanosystem of In/In₄Se₃ (100)

за авторством Galiy, P.V., Mazur, P., Ciszewski, A., Nenchuk, T.M., Yarovets’, I.R., Dveriy, O.R.
Опубліковано в: Металлофизика и новейшие технологии (2018)

Исследование гетеронаносистем металл–полупроводник NixInSe (0001)

за авторством Galiy, P.V., Nenchuk, T.M., Ciszewski, A., Mazur, P., Yarovets’, I.R., Dveriy, O.R.
Опубліковано в: Металлофизика и новейшие технологии (2017)

Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief

за авторством Galiy, P.V., Ciszewski, A., Dveriy, O.R., Losovyj, Ya.B., Mazur, P., Nenchuk, T.M., Zuber, S., Fiyala, Ya.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)