Suchergebnisse - Galiy, P. V.

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    Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 von Galiy, P. V.

    Veröffentlicht 2014
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    X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals von Galiy, P.V., Musyanovych, A.V.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2005)
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    Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI von Galiy, P. V., Nenchuk, T. N., Tuziak, O. Ya., Jarovets, I. R.

    Veröffentlicht 2013
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    Розрахунок зонної структури та її параметрів для 2D індій моноселеніду von Tuziak, O.Ya., Dziuba, V.I., Galiy, P.V., Nenchuk, T.N.

    Veröffentlicht 2025

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    Indium induced nanostructures on In₄Se₃(100) surface studied by scanning tunneling microscopy von Galiy, P.V., Nenchuk, T.M., Ciszewski, A., Mazur, P., Zuber, S., Buzhuk, Ya.M.

    Veröffentlicht in Functional Materials (2013)
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    Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe... von Galiy, P. V., Yarovets', I. R., Nenchuk, T. M., Mazur, P., Ciszewski, A., Dveriy, O. R.

    Veröffentlicht 2018

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    Structural Aspect of Formation of a Nanosystem of In/In₄Se₃ (100) von Galiy, P.V., Mazur, P., Ciszewski, A., Nenchuk, T.M., Yarovets’, I.R., Dveriy, O.R.

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