Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) за авторством Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.

Отримати повний текст

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001) за авторством Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.

Отримати повний текст