Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)

За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автори: Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:
-
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics