Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...
Збережено в:
Дата: | 2022 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |