Результати пошуку - Guba, S.K.
- Показ 1 - 3 результатів із 3
-
1
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии... за авторством Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
2
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V за авторством Voronin, V. A., Guba, S. K., Kurilo, I. V.
Опубліковано 2008Отримати повний текст
Стаття -
3
The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation за авторством Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O., Guba, S.K.
Опубліковано в: Condensed Matter Physics (2019)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
chloride-hydride epitaxy
прямоточный горизонтальный реактор
хлорид-гидридная эпитаксия
III-V compounds
III–V compounds
bipolar transistor
direct-flow horizontal reactor
field effect transistor with a Schottky barrier
heterostructure
horizontal continuous-flow reactor
nanostructure
биполярный транзистор
гетероструктура
наноструктура
полевой транзистор с барьером Шоттки
соединения III-V
соединения III–V