Харвестер відкритої науки НАН України

Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers

von Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Indutnyi, V.I.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures

von Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures

von Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Dan’ko, V.A.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

von Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix

von Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Photostimulated etching of germanium chalcogenide films

von Dan’ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukyanyuk, M.V., Litvin, O.S.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Вплив обробки у парах HF на структуру та люмінесцентні властивості поруватих Si/SiОx нанокомпозитів

von Dan’ko, V.A., Zlobin, S.O., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litovchenko, L.G., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht 2025

Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si–SiOx structures by vapor treatment

von Dan’ko, V.A., Bratus, V.Ya., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Zlobin, S.O., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Наноструктурованi Au чiпи з пiдвищеною чутливiстю для сенсорiв на основi поверхневого плазмонного резонансу...

von Indutnyi, I. Z., Ushenin, Yu. V., Myn’ko, V. I., Shepeliavyi, P. E., Lukaniuk, M. V., Korchovyi, A. A., Khrystosenko, R. V.
Veröffentlicht 2018

Вплив пасткових станiв на кiнетику люмiнесценцiї та наведеного поглинання свiтла наночастинками Si в SiO2 матрицi при збудженнi фемтосекундними лазерними iмпульсами...

von Kadan, V. M., Indutnyi, I. Z., Dan’ko, V. A., Shepelyavyi, P. E., Dmitruk, I. M., Korenyuk, P. I., Blonsky, I. V.
Veröffentlicht 2018

Nanopatterning Au chips for SPR refractometer by using interference lithography and chalcogenide photoresist

von Dan’ko, V.A., Dorozinsky, G.V., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Ushenin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Korchovyi, A.A., Khrystosenko, R.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Вплив форми латерально-впорядкованих наноструктур на ефективність поверхнево-підсиленого раманівського розсіювання...

von Indutnyi, I.Z., Yukhymchuk, V.O., Mynko, V.I., Mamykin, S.V., Mazur, N.V., Isaieva, O.F., Dzhagan, V.M., Danko, V.A., Yefanov, V.S., Korchovyy, A.A., Lytvyn, P.M.
Veröffentlicht 2024